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[发布] 宽禁带半导体的带隙宽度比第一二代半导体的大说明什么?

楼主
发表于 2017/3/27 16:44:57 | 只看该作者

SiC及GaN等第三代半导体的带隙宽度以及饱和电子迁移率比前两代半导体的大,为什么就能说明SiC及GaN更适合用于高压高频领域?

1 楼
发表于 2017/3/27 | 只看该作者

半导体能导电需要电子从价带出发越过禁带到达导带,这个过程叫激发,激发电子产生这个运动过程需要能量,禁带宽度越大则需要越大的激发能量。然而呢,温度以及半导体正反向承受的电压会削弱这个禁带宽度,使电子更容易被激发。所以禁带宽度太小,半导体管子工作起来不可靠,甚至会因为温度太高或者加的电压太大而在没有激发能的作用下,自由电子也自己运动到了导带,使管子导通,产生一些不期望的后果,比如breakdown。禁带宽度越大,电子更不容易从价带运动到导带使管子导通,则管子就能耐受更高的温度和电压。不知道懂了没。。然后饱和速度越高(也就是电子在两个能带之间运动的速度越高),则管子开通和关断的速度也越高,不会产生过久的上升时间和拖尾效应,这就厉害了啊,这两个时间短了管子可不就能以更高的速度开关了吗。看题主也是研究这方面的,所以一些专业术语直接用了,没有做过多解释,应该能看懂吧,不懂再问



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