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[发布] 宽禁带半导体的带隙宽度比第一二代半导体的大说明什么? |
SiC及GaN等第三代半导体的带隙宽度以及饱和电子迁移率比前两代半导体的大,为什么就能说明SiC及GaN更适合用于高压高频领域? |
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