登录注册   忘记密码
查看: 44|回复: 0
上一主题 下一主题

[发布] [资料分享] 最详细的工艺流程介绍!

楼主
发表于 2017/7/20 17:20:18 | 只看该作者
最详细的工艺流程介绍,欢迎下载!
1.1 CMOS的制造流程
CMOS是集成电路的最基本单元,它的制作流程可分为前段和后段,前段流程主要完成元件的制作,包括组件隔离区的形成、阱的植入、栅极的制成、LDD的植入、源极和漏极的制成。后段流程主要完成元件之间的互连,包括第一层金属的制成、第二层金属的制成、保护层和焊垫的制成。以0.25微米制程为例,具体分为以下步骤。
1.1.1 组件隔离区的形成
1.        初始清洗
初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中,利用化学或物理的方法将在晶圆表面的尘粒,或杂质去除,防止这些杂质尘粒,对后续的制程造成影响,使得组件无法正常工作。表2.1是半导体制程中所用到的标准清洗步骤。
表2.1半导体制程中所用到的标准清洗步骤
步骤        化学溶剂        清洗温度        清除之污染物
1        H2SO4 H2O2  (4:1)        120℃        有机污染物
2        D.I Water        室温        洗清
3        NH4OH H2O2 H2O        80-90℃        微尘
4        D.I Water        室温        洗清
5        HCL H2O2 H2O  (1:1:5)        80-90℃        金属离子
6        D.I Water        室温        洗清
7        HF H2O  (1:50)        室温        原生氧化层
8        D.I Water        室温        洗清


2. 前置氧化

先长一层薄薄的二氧化硅,目的是为了降低后续制程中的应力,因为要在晶圆的表面形成一层厚的氮化硅,而氮化硅具有很强的应力,会影响晶圆表面的结构,因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间,加入一层二氧化硅减缓氮化硅的应力,因为氮化硅具有拉力而二氧化硅具有张力,因此加入一层二氧化硅可以平衡掉硅晶圆表面的应力。



3.沉积氮化硅
离子布植--离子布植是将所需的注入元素(如砷)电离成正离子,并使其获得所需的能量,以很快的速度射入硅芯片的技术。而这个固体材料主要是由原子核和电子组成的。


4.组件隔离区的光罩形成


5.氮化硅的蚀刻


6.元件隔离区的氧化

注:氧化--二氧化硅(SiO2)的制作方法有:1.热氧化法;2.沉积法;3.阳极氧化法;4.氧离子注入氧化法。其中较常用的热氧化法又可分为1.干氧化法;2.湿氧化法;3.纯水氧化法;4.掺氯氧化法 。而湿氧化法又有普通湿氧氧化法及氢氧合成湿氧化法。


7.去除氮化硅

1.1.2 阱的植入
1.N型阱的形成


2.P型阱的形成


3.退火及氧化层的形成

4.去除二氧化硅

1.1.3 栅极的制成
1. 栅极(gate)氧化层的形成

2.多晶硅的沉积
注:LPCVD--低压化学气相沉积。低压化学气相沉积是在炉管中完成的,是将气体反应物通入炉管中,加以反应形成所需的物质在芯片上。


3.栅极光罩的形成

......

验证码
看不清换一张