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[发布] GaN基高迁移率场效应晶体管发展前景如何,有哪些机构在做相关研究?

楼主
发表于 2017/9/19 16:33:28 | 只看该作者

GaN基高迁移率场效应晶体管发展前景如何,有哪些机构在做相关研究?

1 楼
发表于 2017/9/21 | 只看该作者

GaN 高迁移率晶体管(High Eletron Mobility Transitor, HEMT) 主要是指利用GaN和AlGaN之间的异质结构层产生的2维电子气层(2-dimensional electron gas, 2DEG)沟道的高电子迁移率而设计的开关管。 最早的应用是主要低压高频RF射频微波管。近几年有很多公司开始把GaN应用到功率器件实现更高的开关频率和速度。国外做高压650V GaN HEMT领先的厂商有以台积电650V 增强型模式制程为基础的无晶圆厂包括加拿大的GaN Systems,  和拥有自己fab的transphorm (cascode 级联结构)和日本panasonic。国内的听说有苏州能讯,和一些国内的高校(比如中山大学)的研究所在做高压GaN HEMT。未来GaN HEMT也是很有发展前景,用来提高开关电源的频率和功率密度。GaN HEMT目前最适合商业化的是基于6英寸硅衬底的GaN on Si 晶圆,可以实现很好的良率和低成本。而垂直型的GaN器件虽然耐压可以做到更高(>650V), 但是目前成本还是过高,没有解决良率的问题,短期内无法商业化量产做功率器件


2 楼
发表于 2017/9/29 | 只看该作者

GaN器件的特点是宽禁带,故以GaN材料为主的三五族半导体化合物也称为宽禁带半导体、新型半导体材料、第三代半导体材料。宽禁带特点使得GaN材料跃迁时,释放的能量大于硅材料。因此GaN器件主要应用于对大功率要求较高的领域,如雷达、LED、天线等。三五族化合物半导体中的GaAs目前已经在无线领域中得到广泛的应用,而GaN正在兴起,尤其是在国防领域中。
前几年,工业界的领军企业(TriQuint等)也在GaN上进行了大量的布局。华为也看好GaN的前景,并组建了相应的研发团队。学术方面,国内主要有西电、成电、北大等,在GaN领域做出了很大的贡献;国外,日本、美国等大学做出了深入的和有代表性的研究(如日本德岛大学等)。另外,国内很多研究所也在GaN方面有一定成果,比如中电十三所等。


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