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半导体专利侵权风险大,放宽招募海外人才

导读:过去中芯就曾侵犯台积电的逻辑制程专利,至于在存储器技术上,专利既多且广,美、日、韩等大厂都已累积数十年基础,未来中国企业将面临新一波专利诉讼。

 

从技术与产品来看,许多中国公司因为无法取得授权,只能靠挖角日、韩及台湾团队,想办法拼凑组合。以DRAM 为例,目前代表性公司合肥长鑫,就从南韩SK 海力士、日本尔必达及台湾华亚科挖角,其中华亚科前资深副总刘大维也被延揽。

 

至于3D NAND Flash 代表企业武汉新芯,已和紫光集团合组长江存储,技术来源就是已并入赛普拉斯(Cypress)的飞索半导体(Spansion)。不过,双方合作传闻都还没动静,日前长江存储还发布新闻稿澄清,表示从未发表过32 层3D NAND Flash 今年量产的消息,未来后续发展恐怕须再观察。

 

根据IC Insights 2 月公布的报告,国内半导体业倚赖挖角与模仿建立技术基础,是冒着极大的专利侵权风险;过去中芯就曾侵犯台积电的逻辑制程专利,至于在存储器技术上,专利既多且广,美、日、韩等大厂都已累积数十年基础,未来中国企业将面临新一波专利诉讼。IC Insights 也预期,中国想在2025 年达到半导体自给自足目标,难度相当大。

 

华中科技大学微电子学院执行院长邹雪城说,中国在半导体行业摸索多年,如今已找到较正确且成功的模式,在中国政府支持下,武汉已成为发展国家储存器的重镇,「这项任务既十分光荣,也十分艰巨,需要下定决心,争一口气。」

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邹雪城目前身兼武汉国家集成电路人才培养基地主任、武汉集成电路设计工程技术研究中心主任,十多年前,他曾代表武汉与国际半导体厂进行合作谈判,也曾投票反对武汉新芯成立的必要性,原因是当时产业发展的环境与条件都不成熟,而且规模太小,还采取由中芯托管的方式,成功机会不高;不过,如今他认为环境、条件都成熟了,因此积极推动武汉参与国家240 亿美元存储器的计划。

 

中国科学院院士、西安电子科技大学副校长郝跃表示,他多年来与台湾半导体公司交流,对台湾从业人员的敬业态度印象深刻,这也是中国产业界可以好好学习的。郝跃也不讳言,中国在大举投入半导体建设的同时,也要注意人才不足的问题。郝跃早在2000 年就投入氮化镓(GaN)半导体材料的研究,在没经费、没基础的情况下,自己做设备并成功开发产品,他带领的团队如今都是中国半导体业的重要人才。

 

一位中国半导体业界大老说,中国近几年物价高涨、投资环境恶化,对国际半导体人才的吸引力明显下降,因此近来中国研拟的「上海五十条」,就是希望能放宽并加强对海外人才的招募。

 

目前担任美商新思科技台湾总经理的李明哲,在2009 至2014 年间,曾派驻中国担任新思科技中国总经理,对中国半导体业的观察深入。他认为,半导体是需要长时间耕耘的行业,中国一流人才都去搞金融或网络,愿意投入技术开发的人,相对少很多。台湾因为半导体的基础深厚,一流人才都投入这个行业,至今还是有很好的优势,不必太小看自己。

 

「以中国现在的氛围来说,整个社会比较追求速成,最好投入网络产业,一个产品推出3 个月就见真章;但是一颗IC 从开发到生产,至少要18 个月才完成,实在太慢了,愿意忍受这种寂寞的人很少。」李明哲说。

 

换个角度想,过去台湾限制面板产业到中国投资,让「两只老虎」友达、群创无法参与中国面板业的建设与成长,也阻断面板上下游供应链的商机;如今中国半导体业重度仰赖台湾的力量,至少在中国崛起过程中,台湾如果还想分一杯羹,这可能是中国产业迈向盛世前,台湾可以紧紧抓住的最后一波商机了。

 

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  • ChinaMOS | 2017/8/10 12:51:26

    评价等级: 星

    值得重视啊。咱们别光顾着速度了