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Intel路线图曝光:10nm产品在2018年底推出

在1月25日下午的财报会议上,Intel CEO Brian Krzanich(科再奇)对外明确表示,将在2018年晚些时候推出完全不受Meltdown和Spectre漏洞影响的芯片产品。


虽然在报告期内(2017年Q4)Intel给出了创记录的财务数据,但华尔街分析师也提出了安全漏洞对未来Intel影响的担心。


对此,科再奇表示,即便是把影响放大到最高,也不会对Intel未来的财务预期造成明显干扰。他还补充说,Intel已经安排了最强大脑来处理此事(指安全漏洞事件)。


同时,关于所谓的安全CPU产品究竟对应谁,知名媒体PCworld和TMHW也给出了自己的分析。


PW称,这款CPU产品应该是基于14nm工艺的Cascade Lake-X或者部分10nm Cannon Lake芯片。Cascade Lake-X是下一代Core X发烧级处理器的代号,用以接替在售的Skylake-X,按照早先路线图,定于Q4推出,时间倒是挺对的上号。


目前的Core X和普通酷睿的一个区别是,前者采用了Mesh bus网格互联架构,而后者是Ring Bus环形总线。


至于这批新处理器是否会刺激Intel的销量,PW认为要分两个领域看,消费级不会,但企业级用户可能会争相选择部署。


另一家权威硬件媒体TMHW和PW的看法基本一致,也就是10nm和新14nm都会有着底层级别的漏洞免疫。


关于先进制程,科再奇在财报会议上表示,14nm的产品在2018年会继续做下去。至于10nm,2017年末和2018上半年选择小规模出货,2018年下半年进入大规模制造。


最后,PW和TMHW均提到,未来的Intel芯片可能会涨价。


虽然从理论上说,Intel在2017年夏天就已经获悉相关漏洞,所以后来的路线图应该就是修正过的,但前AMD专家现在Moor Insights首席分析师Pat Moorhead却有着自己的看法,他称Intel要么就是在为发布的芯片中直接集成了修复,要不然就只能把新品延期1年。


英特尔:10nm的CPU性能提升25%,功耗下降45%

在去年举办的Technology and Manufacturing Day的活动上,英特尔表示,10nm能在1平方毫米的面积内容纳超过1亿个晶体管,鳍片间距更小,10nm会和14nm一样,会使用在三代产品上,而并不是之前的Tick-Tock模式,分别是10nm、10nm 、10nm ,在这之后才会进入7nm,年底的10nm产品比起现在的14nm ,其在性能上能提升25%,功耗还降低45%,他们认为英特尔的10nm工艺会比三星和台积电的要更强。


英特尔高级院士Mark Bohr毫不保守的表示,通过采用超微缩技术(hyper scaling),英特尔10纳米制程工艺拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距,从而实现了业内最高的晶体管密度,领先其他竞争对手的10nm整整一代。

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未来会怎样发展?

到了 10 nm之后,我们不能像在以往节点一样,通过简单地缩小栅极宽度来推进制程。7 nm势必霈要昂贵的全新晶体管架构、沟道材料和内部连接。同时还需要全新的Fab 工具和材料。但就我们观察,这些目前都不够成熟。从技术的角度看来,我们可以生产7 mn或5 nm芯 片。但设计和生产这些制程的芯片,需要极强的资金 和能力。另外,在有多种选择的当下,如何选择正确的 技术也是实现这些制程的关键。


从之前的路线来看,在7 nm制程,最有希望的晶体管候选者就是高电子迁移率的III-V族FinFET,而5nm,我们会迎来下一代全新的晶体管。(而根据IMEC的报告,下一代晶体管出现的时间是7nm,比我们预想的更早)


在7 nm的时候,有三种晶体管可以选择,分别是环绕栅极场效应晶体管、量子阱FinFET和SOI FinFET。 根据IMEC的报告,环绕栅极场效应晶体管是最好的选择。但是同样,锗或Ⅲ-V族材料都应该是7 nm时沟道的首选材料。


关于7 nm时候的沟道材料的选择,IMEC将其范围缩窄到两个:一个是由80%锗组成的PFET;一种是 25%到50%混合锗的FET和0到25%混合锗且带有 strain relaxed buffers的NFET。最完美的选择材料是锗。 硅器件的运行电压是0.8 v和0.75 v,而锗器件的 工作电压是0.5 v。毫无疑问,使用锗让我们降低了 Vdd,进而降低了功耗。 而在7 nm之后,业界也给出了几种晶体管选择, 如上面提到的环形栅极、量子阱、SOl FinFET,还有 Ⅲ-V族FinFET和垂直纳米线。IMEC表示他们正在考量垂直纳米线的方方面面。同时他们也在探索如何生长沟道。

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