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美国Microsemi将发布下一代1200V MOSFET和700V肖特基势垒二极管器件

美国Microsemi公司将在下个季度初期扩大其碳化硅(SiC)MOSFET和二极管产品组合,新一代1200V 25mΩ和80mΩ SiC MOSFET器件;下一代700V,50A肖特基势垒二极管(SBD)和相应的芯片。


这些新的SiC产品以及SiC SBD / MOSFET产品系列将在德国纽伦堡举行的PCIM Europe 2018(6月5日至7日)展出。

 

应用领域

Microsemi公司表示,随着其SiC产品系列的不断发展,该公司已成为Si / SiC功率分立和模块解决方案的主要供应商之一。下一代SiC MOSFET适用于工业和汽车市场应用,包括混合动力电动汽车(HEV)/ EV充电、导电/电感式车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和EV动力系统/牵引力控制,也可用于医疗、航空航天、国防和数据中心应用中的开关模式电源(SMPS)、光伏(PV)逆变器和电机控制。


Microsemi功率分立和模块业务部门的副总裁兼业务部门经理Leon Gross说:“对于电动汽车充电、DC-DC转换器、动力系统、医疗和工业设备以及航空驱动等碳化硅应用领域,要求这些系统所用零部件具有高度的效率、安全性和可靠性。”

 

发展趋势

据市场研究公司Technavio称,到2021年, SiC市场预计将以年复合增长率(CAGR)超过18%的速度增长至近5.45亿美元。尤其是汽车领域的应用将以近20%的复合年增长率增长。 Microsemi认为,其MOSFET SiC和肖特基势垒二极管器件的雪崩额定值具有较高的短路耐受能力,并具备实现这些不断增长的应用趋势所需的功能。

 

产品优势

Microsemi的下一代SiC MOSFET和SiC二极管系列将具有AEC-Q101认证,这将确保高可靠性,同时在额定电流下具有高重复性的非钳位电感性开关(UIS)能力,而不会出现退化或故障。


Microsemi声称,与硅/ SiC二极管/ MOSFET和IGBT解决方案相比,其下一代1200V,25/40 /80mΩSiC MOSFET器件和裸片以及下一代1200V和700V SiC SBD器件具有更多优势,包括更高效以更高的开关频率进行开关以及更高的雪崩/ UIS额定值和更高的短路耐受能力。例如,SiC MOSFET具有特定的导通电阻、低栅极电阻和热阻以及低栅极阈值电压和电容。针对量产工艺和低温参数变化而设计,它们能在高结温(175°C)下以更高的效率(与Si和IGBT解决方案相比)工作,以扩展HEV / EV应用中的电池系统。


AEC-Q101资质测试中有一部分是要经过高温反向偏压(HTRB)和时间依赖性介质击穿(TBBD)测试,该部分测试证实,这些新器件能提供出色的栅极完整性和高栅极成品率。其他主要功能包括:

•高UIS能力,比SiC MOSFET和氮化镓(GaN)器件的雪崩耐用性高1.5-2倍;

•高短路额定值,比SiC MOSFET器件高1.5-5倍;

•对于中子敏感度,与额定电压下的Si IGBT相比,最高失效时间(FIT)速率降低10倍,并且与中子辐照有关的SiC器件性能相当;

•与硅相比,SiC功率密度更高,使更小的磁性元件/变压器/直流母线电容器和更少的散热元件更小型化,从而降低整体系统成本。

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