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美国Integra技术公司推出敌我识别航空电子用高功率氮化镓晶体管

美国Integra技术公司推出一种采用氮化镓(GaN)技术的敌我识别(IFF)航空电子用晶体管IGN1011L120,可提供120W峰值输出功率。


新产品关键参数

IGN1011L120专为IFF航空电子应用而设计,是一种高功率GaN晶体管,专为AB类工作而设计。


该晶体管工作频率为1.03-1.09GHz,在50V偏置电压和6.4%占空比条件下提供至少120W的峰值脉冲功率。


该晶体管采用芯片和导线技术集成,利用金色金属化,采用金属外壳封装,并用陶瓷环氧树脂盖密封。


这种用于新设计的100%高功率射频测试晶体管在ELM模式S脉冲条件下具有17dB的增益和75%的漏极效率:48x(32微秒开,18微秒关),6.4%占空比。


关于Integra技术公司

美国Integra技术公司是高功率射频和微波晶体管及功率放大器的领先设计者和制造商。为雷达、航空电子设备、国防、通信、电子战等应用领域提供定制化解决方案,可提供定制产品。Integra制造的技术包括GaN/碳化硅(SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT)、硅-横向扩散金属氧化物半导体(Si-LDMOS)、硅-垂直双扩散金属氧化物半导体(Si-VDMOS)和Si双极半导体方法,这些技术已在他们自己的工厂及其合作伙伴处得到验证。

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