登录注册   忘记密码

为什么中科院称22nm实现突破,但中芯国际22nm流片成品率为零?

杨迪 | 2017/8/25 14:59:33

为什么中科院称22nm实现突破,但中芯国际22nm流片成品率为零?



  • 李Moon  |   2017/8/28 17:10:58

    我从未在问题涉及的两个单位工作,所以回答都局限在我所知的范围内,了解内情的知友请纠正我。:)

    从刘竹溪的答案里的新闻来判断,中科院做出了22nm栅长的HKMG器件,器件性能测试符合要求。这个新闻很有趣,需要拿到中科院发表的文章具体来分析一下数据,不过我觉得这个器件是不可能继续研发并且应用于生产的。


    首先,据我所知的范围(了解内情的人来纠正我啊)中科院没有可以进行22nm光刻制程的设备,不太晓得怎么实现22nm的尺寸定义,当然这个也可以通过蚀刻完成,需要看看中科院提供的器件剖面切片的照片来验证一下:);


    其次还是据我所知,中科院只是做器件研究,器件有良率不等于能做出芯片,芯片需要做完back end的导线互联,所以新闻的叙述是很有技巧的,新闻也并没有说中科院有22nm“芯片”量产的技术。
    最后也是最重要的,从这个新闻来看,通篇都没有提到这个器件是3D的,22nm若依然做planar gate而不是3D gate,其实毫无研究价值。参考Intel网站上的文档:


    http://download.intel.com/newsroom/kits/22nm/pdfs/22nm-Details_Presentation.pdf
    第19页是32nm和22nm planar的性能对比,提升很有限嘛,虽说22nm比32nm集成度高了,但是工艺制程的成本也跟着大幅上升,继续这个工艺路线值不值得呢?结果Intel进行了一场大革命,走了3D也就是所谓tri-gate路线,第20页是32nm planer, 22nm planer和22nm 3D gate的性能对比,结果一目了然。现在22nm以及以下的研发主流都是3D gate也就是FinFET技术了,中科院若还停留在planar阶段,就需要提供一下器件性能数据,证明自己在非主流的条件下依然进行了超水平发挥:),不然这个研究就没啥工业价值了。


    说完中科院再来说中芯国际。中芯的22nm逻辑芯片也是FinFET工艺,全世界除了Intel就只有台积电可以量产,而且台积电只是宣称具有量产能力,尚不知有没有真正的订单,所以中芯没有做出来也不奇怪。FinFET是全新的工艺路线,需要投入大量金钱和人力,以及花费数年时间获得高位的稳定良率。中芯投入22nm的研发到现在也还不到一年,而且目前(截止到14年1月啊)关键问题是没钱,连22nm制程用的设备都买不齐全,别说做出良率了。虽然我很乐观的认为中芯国际有能力自主完成22nm FinFET的量产研发,那大概也要至少两年以后了。


    中科院的planer gate路线,相对而言难度很低,延续了自32nm以来的成熟工艺,若中芯也走此路线,只是尺寸缩小,器件结构保持不变,那么研发成本和时间都将大大减少。但是如前所言,这样做毫无工业价值。所以不要拿中科院和中芯国际相比,一个是取巧出新闻成绩,一个是实干做工业,两者有本质区别。:)


    所里的同志不要骂我,中芯的同志也不要吐槽。我只是站在旁观者的角度试图解释而已。。。


  • 一十  |   2017/8/30 10:23:18

    台积电都在吹水7nm工艺,可是10nm工艺却要到2017年才能大规模量产(这里指的是能有产品上市,不是实验室里大规模量产),说白了,就是实验室和产品上市的区别。