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直接带隙和间接带隙有什么区别?

SunRuikang | 2017/10/10 9:06:04

一般而言我们希望获得的是直接还是间接带隙的半导体?我最近在做二维原子晶体材料,假如能结合这个方向说说就更好了(如单层二硫化钼是直接带隙的而块状是间接带隙的)


  • larmbr宇  |   2017/10/11 8:32:03

    一般我们希望获得直接带隙半导体。
    他们的区别在于价带顶和导带底是否拥有相同的波矢k。
    直接带隙半导体电子跃迁时不需要释放或吸收声子(即晶格振动),而间接带隙半导体需要。而且声子的能量也是分立的,所以直接带隙半导体更容易跃迁。
    至于二维材料,MoS2单层是直接带隙的。多层是间接的。据说这个是挺自然的结论。某师兄告诉我,固体物理里可以证明,二维材料如果存在带隙(或者零带隙),总是直接带隙的。然而我并不会证明……
    希望回答对你有用。有常识性错误的话,笑笑就得了……